市面上別人稱呼的類金剛石薄膜，通常指的就是DLC薄膜，是英文詞匯Diamond Like Carbon的簡稱，它是一類性質近似于金剛石，具有高硬度，高電阻率的薄膜。鍍制DLC薄膜，通常采用DLC薄膜真空鍍膜設備鍍制，效率高，沉積速率快。
DLC薄膜具有良好光學性能等，同時又具有自身獨特摩擦學特性的非晶碳薄膜。碳元素因碳原子和碳原子之間的不同結合方式，從而使其最終產生不同的物質：金剛石（diamond）—碳碳以 sp3鍵的形式結合；石墨（graphite）—碳碳以sp2鍵的形式結合；而這里所述類金剛石（DLC）—碳碳則是以sp3和 sp2鍵的形式結合，生成的無定形碳的一種亞穩(wěn)定形態(tài)，它沒有嚴格的定義，可以包括很寬性質范圍的非晶碳，因此兼具了金剛石和石墨的優(yōu)良特性；所以由類金剛石而來的DLC膜同樣是一種亞穩(wěn)態(tài)長程無序的非晶材料，碳原子間的鍵合方式是共價鍵，主要包含sp2和sp3兩種雜化鍵，而在含氫的DLC膜中還存在一定數(shù)量的C-H鍵。
自1963年在一次偶然的機會出現(xiàn)了不尋常的硬度和化學性能好的化學汽相沉積（CVD）碳形式的薄膜后,國外有不少研究單位開始研究金剛石薄膜的沉積工藝.1971年,艾森伯格（Aisenberg）和沙博（Chabot）等人,利用離子束蒸鍍法,以石墨作薄膜材料,通過氬氣弧光放電使石墨分解電離產生碳離子。碳離子經磁場聚焦成束,在比較高的真空條件下,在低壓沉積室內的室溫下的基片上沉積出了硬碳膜。這種硬碳膜具有近似于金剛石的一些特性－如透明度高、電阻抗大、硬度高等。當時，這種膜被人們稱作i形碳。直到1976年，斯潘塞（Spencer）等人對這種應碳膜的結構進行了探討，結果確認膜中有金剛石等數(shù)種碳系結晶，后才被人們稱之為類金剛石膜。就在這一年，德賈吉恩（Derjaguin）等人利用化學轉變法合成出了金剛石薄膜。從此之后，低壓CVD金剛石薄膜工藝引起了人們的注意。70年代中期，前蘇聯(lián)的科學家，論證了實用的CVD金剛石薄膜技術，接下來日本人又模仿和發(fā)展了此項技術。進入80年代后，低壓CVD金剛石薄膜研究在日本蓬勃開展起來。在從1963～1987年的25年中，各國相繼發(fā)表的有關金剛石薄膜制作技術及其相關材料的專利，共有672篇。其中美國有53篇，日本有507篇，其他國家為112篇。而在1983～1987年這4年內，全世界就發(fā)表了這方面的專利573篇，其中日本發(fā)表有488篇。由此看出，80年代中期是CVD法沉積合成金剛石薄膜技術的大發(fā)展時期，而日本的研究開展的最為活躍
在制備DLC薄膜時，因為制備方法的不同，可以制備含氫和非氫DLC薄膜。在制備這兩種DLC薄膜時，含氫和非氫DLC薄膜的結構，性能都不一樣。非氫DLC薄膜只是在基片上濺射石墨，不含有其他的離子或元素，但是含氫DLC薄膜在濺射制備時要有H+。所以當在制備非氫DLC薄膜時，充入的氣體只是氬氣，但是在制備含氫DLC薄膜時，我們還要充入碳氫化合物氣體，我們一般充入CH4或C2H2，這使得制備出來的兩種DLC薄膜的結構和性能有很大差異。非氫DLC薄膜的硬度要比含氫DLC薄膜的大，同時，由于含氫DLC薄膜含有H+，所以含氫DLC薄膜表面一般比非氫DLC薄膜要致密光滑。同時，含氫DLC薄膜在制備時一般它的沉積速率比非氫DLC薄膜要明顯快些。
近年來, DLC膜的制備工藝發(fā)展迅速，已經開發(fā)出多種制備方法，同時
DLC薄膜真空鍍膜設備市場需求也增大。這些方法大體分為兩大類：物理氣相沉積法( physical vapor deposition簡稱PVD)、化學氣相沉積法( chemical vapor deposition簡稱CVD)及等離子增強化學氣相沉積法(PECVD)。另外有機溶劑電解和聚合物熱解是近年來出現(xiàn)的新方法
